IXYS XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 177
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集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 2500V 8A XPT
数据表
265库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 2.5 kV 4 V - 20 V, 20 V 29 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 110A GENX4
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
数据表
389库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 6 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
数据表
146库存量
220预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 105 A 500 W - 55 C + 150 C IXYN82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO268 1200V 55A XPT
数据表
264库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT 30A
数据表
146库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1700V 16A IGBT
数据表
81库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
217库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V XPT GenX3 IGBT
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1200V 55A XPT
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
数据表
350库存量
250预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
数据表
265库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
数据表
110库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 7 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 8A 2.5V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3
数据表
31库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
238库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 20 A 85 W - 40 C + 125 C IXA12IF1200 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
58库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 78 A 325 W - 40 C + 125 C IXA45IF1200HB Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ISOPLUS 4500V 38A IGBT
数据表
293预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 4.5 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 90 A 417 W - 55 C + 150 C High Voltage Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 650V 140A SN DIO
数据表
300预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
1,416预期 2026/10/28
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 24A 2.7V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 w/ Diode
数据表
281预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 44 A 200 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/80A XPT Copacked TO-247
数据表
242预期 2026/4/10
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 300 W - 55 C + 175 C IXYH40N65 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
数据表
330预期 2026/5/4
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 150 C IXYH82N120 Tube