Microchip 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 122
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247
数据表
107库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT75GN60BG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
数据表
230库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT33GF120B2RDQ2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-247 MAX
数据表
106库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 30 V, 30 V 64 A 357 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 329 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-268
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT50GP60B2DQ2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 50 A TO-247 MAX
数据表
242库存量
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 118 A 595 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A TO-247
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 100 A 625 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 30 V, 30 V 198 A 833 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 54 A TO-247
数据表
69库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 96 A 416 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT35GA90B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 63 A 290 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT13GP120BG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 13 A TO-247
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 41 A 250 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT54GA60B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 54 A TO-247
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 96 A 416 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT30GN60BG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 30 A TO-247
数据表
3库存量
150预期 2026/4/20
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 63 A 203 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT50GR120L
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 50 A TO-264
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 117 A 694 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT95GR65B2
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 650 V 95 A TO-247 MAX
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.6 V - 30 V, 30 V 208 A 892 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT15GN120BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 15 A TO-247
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 45 A 195 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268
数据表
842库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 67 A 272 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
494库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-264
数据表
298库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 200 A 833 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
数据表
299库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT30GP60BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 30 A TO-247
数据表
478库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 463 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 229 A 625 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A SOT-227
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 600 V 1.5 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-247
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 40 A 136 W - 55 C + 175 C Tube