GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V/30A DIS

ECAD模型:
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库存量: 82

库存:
82 可立即发货
生产周期:
18 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥35.0752 ¥35.08
¥23.165 ¥231.65
¥16.2946 ¥1,629.46
¥13.4018 ¥6,700.90
¥12.5769 ¥12,576.90

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
商标: Toshiba
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: IGBTs
单位重量: 6.756 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99