动态随机存取存储器

结果: 942
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
49库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 266 MHz BGA-84 16 M x 16 500 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR S动态随机存取存储器
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
6,474预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G16D4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
数据表
136预期 2027/1/6
最低： 1
倍数： 1

LPDDR4 Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
4,290预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 4Gb 96 ball FBGA DDR3L 1866
数据表
30预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.5 V 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
348预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 32Mx8, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2508SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
455预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
数据表
3,243预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Winbond W958S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NBPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W958S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S6NBJX4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x16, 250MHz, Ind temp, 1.2V
490预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Winbond W959S8NMPA4I
Winbond 动态随机存取存储器 512Mb HyperRAM x8, 250MHz, Ind temp, 1.2V
480预期 2027/2/19
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 MB 250 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
472预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
数据表
7,236库存量
6,156预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
数据表
1,930在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C DDR4 Tray
Kingston 动态随机存取存储器 32Gb LPDDR4 4266Mbps BGA 200b DDPx32 i-Temp
数据表
5预期 2026/7/28
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 32 Gb 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 2 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 32Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b DDPx32 i-Temp
数据表
5预期 2026/7/30
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4X 32 Gb 16 bit 2.133 GHz FBGA-200 2 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray