动态随机存取存储器

结果: 941
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb LPDDR4 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp
5预期 2026/7/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gb 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb LPDDR4x 4266Mbps BGA 200b SDPx32 i-Temp
5预期 2026/7/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4X 16 Gb 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1 G x 16 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
3,050在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
9,120在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
2,509在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
3,366预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
2,153在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
14,500在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
6,107在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
5,473在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
3,402在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
5,832在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,690预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
3,840预期 2026/10/26
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,904在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
484在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1333MHZ, Industrial Temp - Tray
1,462在途量
最低: 1
倍数: 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C AS4C256M16D4-75 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
644在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
190预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 8M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, Industrial Temp - Tray
638预期 2026/8/31
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die
339预期 2026/7/30
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581预期 2026/9/2
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR S动态随机存取存储器
540在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
780在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray