AS3008101 系列 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
接口类型
存储容量
组织
数据总线宽度
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000
SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
无库存
最低： 1,200
倍数： 300

SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 85 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 4,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000
WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
无库存
最低： 1,365
倍数： 455

WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 85 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000
SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
数据表
无库存
最低： 1,200
倍数： 300

SOIC-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 105 C AS3008101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 4,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000
WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C AS3008101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 8Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
数据表
无库存
最低： 1,365
倍数： 455

WSON-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V +/- 8 mA, +/- 14 mA - 40 C + 105 C AS3008101 Tray