IS34ML01G081 系列 NAND闪存

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 285库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 200
卷轴: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI NAND闪存 1G 3.3V x8 NAND闪存 Q100
1,465预期 2026/5/18
最低: 1
倍数: 1
最大: 5
卷轴: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存
227在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 55

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C