IS34ML01G084 系列 NAND闪存

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
364库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,500
倍数： 1,500
卷轴: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel