200 MHz 动态随机存取存储器

结果: 146
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Winbond 动态随机存取存储器 128Mb HyperRAM x16, 200MHz, Ind temp, 1.8V 196库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

HyperRAM 128 Mbit 16 bit 200 MHz WFBGA-49 35 ns 1.35 V 1.8 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond 动态随机存取存储器 256Mb HyperRAM x16, 200MHz, Ind temp, 1.8V 24库存量
490预期 2026/6/25
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz WFBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz @ CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
数据表
112库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - LPDDR 2 Gbit 32 bit 200 MHz FBGA-90 64 M x 32 6.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 60 BGA, 200MHz, Commercial Temp - Tray
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C4M32D1A Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI 动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
59库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
96库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR S动态随机存取存储器
数据表
54库存量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
662预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
数据表
2,880在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
1,014在途量
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
数据表
273在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
数据表
480预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
数据表
1,200预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
数据表
108预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 4.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C4M16SA Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 无库存交货期 20 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 4,800
倍数： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 无库存交货期 20 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 无库存交货期 20 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
数据表
交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray