Tray 动态随机存取存储器

结果: 966
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial
数据表
198预期 2027/2/24
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 1.86 GHz FBGA-200 1024 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 4266MHz itemp -40c to 95c
数据表
75预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 16 GB 16 bit 2.133 GHz BGA-200 1024 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C eMMC Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
49预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 1.866 GHz FBGA-200 512 M x 32 1.1 V 1.8 V - 25 C + 85 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 1.86 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 64Gb 200 ball FBGA LPDDR4 4266MHz
数据表
25预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 2048 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 25 C + 85 C Tray
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
662预期 2026/6/24
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
4,787预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
数据表
2,880在途量
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Kingston 动态随机存取存储器 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200 256Mx16
数据表
50预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 4Gb 96 ball FBGA DDR3L 1866
数据表
50预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.5 V 0 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 4Gb 96 ball FBGA DDR3L 1866 IT
数据表
50预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.5 V - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
348预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 8Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
108预期 2026/6/30
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1216SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
455预期 2026/9/18
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
133预期 2026/7/10
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6416SD Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Commercial Temp - Tray
数据表
3,344在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
1,014在途量
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM
数据表
472预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

Tray
Zentel Japan 动态随机存取存储器 DDR4 4Gb, 256Mx16, 3200 CL22, 1.2V, FBGA-96
数据表
1,930在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 3.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C DDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
数据表
5,978在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
数据表
5,918在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
11,327在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
数据表
6,382在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
数据表
5,473在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Tray