104 MHz NAND闪存

结果: 59
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
SkyHigh Memory NAND闪存 0BIT ECC, X1 X2 X4 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE LGA
数据表
产品评论
244库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
SMD/SMT LGA-8 4 Gbit SPI 512 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
Winbond NAND闪存 512Mb Serial NAND flash, 3V
数据表
3,186库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
SkyHigh Memory NAND闪存 0BIT ECC, X1 X2 X4 I/O AND 3V VCC SLC NAND FLASH MEMORY 2KB PAGE SIZE LGA
数据表
产品评论
365库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
SMD/SMT LGA-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3.3V 104MHz Serial NAND闪存
数据表
28库存量
4,320在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
数据表
432库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 143库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 65库存量
480预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
数据表
1,126库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
数据表
108库存量
176在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
Winbond NAND闪存 2G-bit Serial NAND flash, 3V
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

SMD/SMT 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
数据表
480预期 2027/4/22
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 4,000
倍数： 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON ECC-Free
数据表
SMD/SMT WSON-8 MX35LF 1 Gbit Serial 256 M x 4 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 2Gbit x4 WSON-8 4Bit ECC
数据表
SMD/SMT WSON-8 MX35LF 2 Gbit Serial 512 M x 4 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 2Gbit x4 WSON-8 4Bit ECC
数据表
SMD/SMT WSON-8 MX35LF 2 Gbit Serial 512 M x 4 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 1Gbit x4 WSON-8 4Bit ECC
数据表
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 1 Gbit Serial 256 M X 4 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 1Gbit x4 WSON-8 4Bit ECC
数据表
SMD/SMT WSON-8 MX35UF 1 Gbit Serial 256 M X 4 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel