N01S830BAT22I

onsemi
863-N01S830BAT22I
N01S830BAT22I

制造商：

说明：
静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 339

库存：
339 可立即发货
生产周期：
33 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥42.2733 ¥42.27
¥40.115 ¥401.15
¥39.1206 ¥1,956.03
¥38.1375 ¥3,813.75
¥36.6459 ¥7,329.18
¥30.1032 ¥15,051.60

备用包装

制造商零件编号:
N01S830BAT22IT
包装:
Reel, Cut Tape, MouseReel
供货情况:
库存量
单价:
¥46.1605
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS:  
1 Mbit
128 k x 8
25 ns
20 MHz
SPI
5.5 V
2.5 V
20 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
Tube
商标: onsemi
存储类型: SDR
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
系列: N01S830
工厂包装数量: 100
子类别: Memory & Data Storage
类型: Synchronous
单位重量: 400 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作，采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式下，单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用，以访问这些器件内的数据。 在 DUAL 模式下，使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。 在四路模式式下，四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用，以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作，采用 8 引脚 TSSOP 封装。
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