Dual 射频(RF)双极晶体管

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 系列 晶体管类型 技术 晶体管极性 工作频率 直流集电极/Base Gain hfe Min 集电极—发射极最大电压 VCEO 发射极 - 基极电压 VEBO 集电极连续电流 最小工作温度 最大工作温度 配置 安装风格 封装 / 箱体 封装

Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X PNP MATCHED INDEL 1,290库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

HFA3135 Bipolar Si PNP 7 GHz 15 11 V 4.5 V 26 mA - 40 C + 85 C Dual SOT-23 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB 12库存量
最低: 1
倍数: 1

Bipolar Power Si 500 MHz 40 30 V 4 V 16 A - 65 C + 150 C Dual Screw Mount 744A-01 Tray
Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL 2,090库存量
最低: 1
倍数: 1

HFA3096 Bipolar Si NPN/PNP 5.5 GHz, 8 GHz 12 V, - 15 V 6 V, - 5 V - 55 C + 125 C Dual SMD/SMT SOIC-Narrow-16 Tube

Renesas / Intersil 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE 1,805库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

HFA3134 Bipolar Si NPN 8.5 GHz 48 11 V 4.5 V 26 mA - 40 C + 85 C Dual SOT-23 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频(RF)双极晶体管 30-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.5dB 17库存量
最低: 1
倍数: 1

Bipolar Power Si 500 MHz 40 30 V 4 V 16 A - 65 C + 150 C Dual Screw Mount 744A-01 Tray
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor 350库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BFU520Y Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Dual SMD/SMT SOT-363-6 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS 408库存量
6,000预期 2026/8/21
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

BFP840FESD Bipolar SiGe 85 GHz 2.25 V 2.6 V 35 mA + 150 C Dual SMD/SMT TSFP-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband si silicon RF trans
9,500预期 2027/4/7
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

BFU520Y Bipolar Wideband Si NPN 10 GHz 60 12 V 2 V 30 mA - 40 C + 150 C Dual SMD/SMT SOT-363-6 Reel, Cut Tape