Infineon Technologies 650V汽车用底面冷却GaN晶体管
英飞凌科技 650 V汽车用GaN晶体管－底部冷却，可实现大电流、击穿电压和开关频率。英飞凌科技晶体管凭借其获得专利的Island Technology® 和GaNPX® 封装实现了创新。Island Technology单元布局实现了大电流裸片和高良率。GaNPX封装采用小型封装，可实现低电感和低热阻。GS-065-060-5-B-A是一款底面冷却晶体管，具有低结-外壳热阻，适用于要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起，可提供高效电源开关。
特性
- AEC-Q101和AutoQualTM+™（增强型AEC-Q101）
- 650V增强模式功率晶体管
- 底面冷却、低电感GaNPX封装
- RDS (on) =25mΩ
- IDS (最大值) =60A
- 超低FOM
- 简单的栅极驱动要求（0V至6V）
- 瞬态容限栅极驱动 (-20/+10V)
- 高开关频率 (>10MHz)
- 快速、可控的下降时间和上升时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 小型11mm2 x 9mm2 PCB占位
- 双栅极焊盘，可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 3 (6 + 4)标准
应用
- 车载充电器
- 牵引驱动
- DC-DC转换器
- 工业电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 无桥图腾柱PFC
封装和电路
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发布日期: 2023-03-06
| 更新日期: 2024-08-22