Infineon Technologies 650V汽车用顶部冷却GaN晶体管
英飞凌科技 650 V汽车用GaN晶体管- Top Cover 支持大电流、击穿电压和开关频率。英飞凌科技晶体管凭借其获得专利的Island Technology® 和GaNPX® 封装实现了创新。Island Technology单元布局实现了大电流裸片和高良率。GaNPX封装采用小型封装,可实现低电感和低热阻。GS-065-060-5-T-A是一款顶部冷却晶体管,具有非常低的结-外壳热阻,适用于要求苛刻的大功率应用。这些特性结合在一起,可提供高效电源开关。
特性
- AEC-Q101和AutoQualTM+™(增强型AEC-Q101)
- 650V增强模式功率晶体管
- 顶部冷却、低电感GaNPX封装
- RDS (on) =25mΩ
- IDS (最大值) = 60A
- 超低FOM
- 简单的栅极驱动要求(0V至6V)
- 瞬态容限栅极驱动 (-20/+10V)
- 高开关频率 (>10MHz)
- 快速、可控的下降时间和上升时间
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 小型9mm2 x 7.6mm2 PCB占位
- 双栅极焊盘,可实现最佳电路板布局
- 符合RoHS 3 (6 + 4)标准
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Designed for very low junction-to-case thermal resistance for demanding high-power applications.
发布日期: 2023-03-06
| 更新日期: 2024-08-22