返回Infineon Technologies

Infineon Technologies GS665xx增强模式硅功率晶体管

Infineon Technologies GS665xx增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）具有大电流、高击穿电压和高开关频率等特性。这些功率晶体管采用具有大电流裸片和高良率的Island Technology单元布局，GaNPX® 小型封装可实现低电感和低热阻。这些功率晶体管具有非常低的结-外壳热阻，适用于大功率应用。GS665xx增强模式硅功率晶体管有底部或顶部冷却晶体管可供选择。这些功率晶体管具有超低FOM裸片、反向电流能力和零反向恢复损耗。

GS665xx增强模式硅功率晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C。这些功率晶体管具有>10MHz高开关频率和750V瞬态漏极-源极电压。典型应用包括交流-直流转换器、直流-直流转换器、不间断电源、工业电机驱动器、电器电机驱动器、快速电池充电、电源适配器和无线电源传输。

特性

  • 顶部和底面冷却配置
  • 超低FOM Island Technology® 裸片
  • 快速、可控的下降时间和上升时间
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 符合RoHS3 (6+4)标准
  • 低电感封装

规范

  • 开关频率：>10MHz
  • 工作温度范围：-55 °C至150 °C
  • 简单栅极驱动电压范围：0V至6V
  • 650V增强模式功率晶体管
  • 瞬态漏极-源极电压：750V
  • -20V/10V瞬态容限栅极驱动电压

应用

  • 交流/直流转换器
  • DC-DC转换器
  • 不间断电源
  • 工业电机驱动器
  • 家电电机驱动器
  • 电池充电快
  • D类音频放大器
  • 电源适配器
  • 无线功率传输

进一步了解

视频

相关产品

Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor

Designed for very low junction-to-case thermal resistance for demanding high-power applications.

Learn More关于Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor View Products与Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor相关
发布日期: 2020-08-26 | 更新日期: 2024-09-04