Infineon Technologies 100 V至150 V StrongIRFET™功率MOSFET
英飞凌100V至150V StrongIRFET™功率MOSFET经过优化，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力。在100V时，此系列器件可提供低至1.3mΩ的RDS(on) 和高达209A的电流处理能力。这些特性可降低导通损耗并提高功率密度，同时仍可适应传统设计。StrongIRFET功率MOSFET非常适合用于需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合涵盖了广泛的应用，包括DC电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
英飞凌100V至150V StrongIRFET™功率MOSFET采用行业标准TO-247封装，具有-55°C至+175°C的宽工作温度范围。
特性
- 在100V时，RDS(on) 低至1.3mΩ
- 在100V时，载流能力高达209A
- 漏极-源极电压：100V和150V
- 产品验证符合JEDEC标准
- 充分特征化的电容和雪崩SOA
- 高的栅极、雪崩和动态dV/dt稳定性
- 增强的体二极管dV/dt和dI/dt功能
- 宽工作温度范围：-55°C至+175°C
- 行业标准TO-247封装，可直接替代
应用
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能逆变器
- D类音频放大器
- 开关模式电源 (SMPS)
- 有刷和无刷直流电机驱动
- 电池供电电路
规格参数
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Infineon Technologies StrongIRFET™ Power MOSFETs
Ideal for a wide variety of industrial applications.
典型应用电路
包装外形
发布日期: 2022-09-21
| 更新日期: 2022-09-22