Infineon Technologies 1200 V PIM IGBT模块
英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。
特性
- 连续直流集电极电流：10A、15A、25A、35A、50A或100A
- 1200V集电极-发射极电压
- VCEsat，具有正向温度系数
- TRENCHSTOP™ IGBT7
- 集成式温度传感器
- 过载运行温度高达175°C
应用
- 辅助逆变器
- 电机驱动器
- 伺服驱动器
- 商用农业车辆
- 大功率转换器
- 不间断电源系统
视频
功能图
Development Tool
Infineon Technologies EVAL-FP50R12W2T7M5 评估板
该评估板专为基于TRENCHSTOP™ IGBT7技术的通用型驱动器而设计。
发布日期: 2020-12-02
| 更新日期: 2026-01-14