1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术,基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比,该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统,这意味着更低的静态损耗,更高的功率密度,以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块,将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。

结果: 25
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module 10库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module 26库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 75 A PIM three phase input rectifier IGBT module 6库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 75 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 LOW POWER ECONO 3库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 LOW POWER ECONO 2库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module 3库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 75 A PIM IGBT module 5库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 150 A PIM IGBT module 4库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 LOW POWER ECONO 10库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module 5库存量
15预期 2026/2/26
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 160 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A PIM IGBT module 1库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 100 A PIM IGBT module 2库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 15 A PIM IGBT module 19库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A PIM IGBT module 4库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module 15库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12W2T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 35 A PIM IGBT module 14库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 25 A PIM IGBT module 22库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 15 A PIM IGBT module 20库存量
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP15R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY 14库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 15 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7PB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY 4库存量
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 75 A PIM IGBT module
10预期 2026/2/20
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 LOW POWER ECONO 无库存交货期 12 周
最低: 15
倍数: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 150 A PIM IGBT module 无库存交货期 12 周
最低: 10
倍数: 10

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 150 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP10R12W1T7BOMA1
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP200R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 200 A PIM IGBT module 无库存交货期 12 周
最低: 10
倍数: 10

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 200 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray