Infineon Technologies 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
英飞凌科技650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管采用先进的技术，可满足高效能源应用的需求。英飞凌科技650 V晶体管采用先进的微模式沟槽设计，可实现精确控制和高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。
特性
- VCE =650V
- IC =高达150A
- 低开关损耗
- 极低集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)
- 快速软恢复反向并联二极管
- 平滑开关特性
- 湿度耐受性
- 优化用于硬开关、两级和三级拓扑
应用
- 工业UPS
- 电动车充电
- 灯串逆变器
- 焊接
概述
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Infineon Technologies 1200V沟槽式TRENCHSTOP IGBT7 H7分立晶体管
第七代1200V ™ IGBT，采用微沟槽 技术设计。
发布日期: 2024-01-30
| 更新日期: 2024-03-01