Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5晶体管
英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。
特性
- 650V GaN晶体管
- 高性能8英寸内部铸造工艺
- 增强模式（电子模式）
- 集成功率级
- 超快的切换速度
- 无反向恢复电荷
- 反向传导能力
- 低栅极和输出电荷
- 卓越的换向坚固性
- 常闭晶体管技术确保运行安全
- 实现快速、精确的动力传输控制
- 提高系统效率和可靠性
- 确保在艰苦条件下保持性能稳定
- ESD JEDEC标准
- 2kV HBM ESD保护
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 消费类电子产品
- 数据中心
- 工业
- USB-C适配器/充电器
- 配电
- 服务器
- 电信
- 太阳能/储能系统
- SMPS
应用电路图
信息图
开发工具
Infineon Technologies REF_LLC_500W_FULLGAN DC-DC转换器评估板
电源转换解决方案，设计用于超薄TV电源，特别是OLED TV。
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| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 |  |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
发布日期: 2024-08-02
| 更新日期: 2025-09-26