CoolGaN™ 650V G5晶体管

英飞凌CoolGaN™ 650V G5晶体管采用高效氮化镓 (GaN) 晶体管技术进行电源转换。650V G5系列可应对消费电子、数据中心、工业和太阳能应用的挑战。这些晶体管具有超快的开关能力，提高了系统效率和功率密度。CoolGaN技术提供分立和集成解决方案，旨在提高整体系统性能。英飞凌CoolGaN 650V G5晶体管可实现高工作频率并降低EMI评级。这些晶体管是配电、开关电源 (SMPS)、电信和其他工业应用的理想之选。

结果: 14
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
3,986库存量
4,000预期 2026/8/20
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
数据表
2,970库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
1,569库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,587库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,711库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,285库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,133库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,679库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,537库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
2,657库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
1,981库存量
4,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
1,528库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
1,519库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
数据表
84库存量
2,000预期 2026/9/10
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN