|
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥58.647
-
2,678库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGI65D1414A3MSXU
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,678库存量
|
|
|
¥58.647
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥29.5269
|
|
|
¥28.0353
|
|
|
¥24.069
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-32
|
N-Channel
|
2 Channel
|
650 V
|
|
170 mOhms
|
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
|
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R055D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥55.257
-
2,154库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R055D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,154库存量
|
|
|
¥55.257
|
|
|
¥39.8664
|
|
|
¥29.2783
|
|
|
¥26.8827
|
|
|
¥21.8316
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
22 A
|
70 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
111 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R080D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥48.8047
-
2,797库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R080D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,797库存量
|
|
|
¥48.8047
|
|
|
¥32.5892
|
|
|
¥23.4136
|
|
|
¥21.1762
|
|
|
¥20.4304
|
|
|
¥17.2099
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
18 A
|
100 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
81 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R110D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥38.4652
-
2,860库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R110D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,860库存量
|
|
|
¥38.4652
|
|
|
¥25.3911
|
|
|
¥17.9444
|
|
|
¥15.3906
|
|
|
¥12.4865
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
16 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
2.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
59 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGL65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥33.0073
-
2,674库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGL65R140D2XUMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,674库存量
|
|
|
¥33.0073
|
|
|
¥21.6734
|
|
|
¥15.142
|
|
|
¥12.4865
|
|
|
¥10.3395
|
|
|
¥10.17
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥59.9691
-
2,304库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R055D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,304库存量
|
|
|
¥59.9691
|
|
|
¥39.1206
|
|
|
¥29.4478
|
|
|
¥27.9562
|
|
|
¥25.6397
|
|
|
¥22.7469
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
70 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
91 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R080D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.2963
-
2,689库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R080D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,689库存量
|
|
|
¥50.2963
|
|
|
¥32.3406
|
|
|
¥24.1481
|
|
|
¥22.0011
|
|
|
¥21.2553
|
|
|
¥17.9444
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
18 A
|
100 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
3.3 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R110D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥39.6178
-
2,661库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R110D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,661库存量
|
|
|
¥39.6178
|
|
|
¥25.312
|
|
|
¥18.532
|
|
|
¥16.046
|
|
|
¥15.9669
|
|
|
¥12.9837
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
2.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
51 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGLD65R140D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥34.9848
-
2,717库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGLD65R140D2AUMA
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
2,717库存量
|
|
|
¥34.9848
|
|
|
¥22.1706
|
|
|
¥16.1251
|
|
|
¥13.1532
|
|
|
¥11.0062
|
|
|
查看
|
|
|
¥12.9837
|
|
|
¥10.5881
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-LSON-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
12 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.2 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
42 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥108.1975
-
267库存量
-
6,000在途量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R025D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
267库存量
6,000在途量
在途量:
4,000 预期 2026/6/11
2,000 预期 2026/7/9
|
|
|
¥108.1975
|
|
|
¥74.1958
|
|
|
¥63.7772
|
|
|
¥58.7261
|
|
|
¥53.6863
|
|
|
¥47.8894
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
70 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
236 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥65.2575
-
1,736库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R045D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,736库存量
|
|
|
¥65.2575
|
|
|
¥43.6745
|
|
|
¥35.3238
|
|
|
¥33.0864
|
|
|
¥32.6683
|
|
|
¥28.3743
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
131 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R140D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥31.3462
-
1,544库存量
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R140D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
1,544库存量
|
|
|
¥31.3462
|
|
|
¥19.6846
|
|
|
¥14.6448
|
|
|
¥12.5769
|
|
|
¥10.8367
|
|
|
¥10.3395
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥88.8406
-
28库存量
-
8,000预期 2026/9/17
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R035D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
28库存量
8,000预期 2026/9/17
|
|
|
¥88.8406
|
|
|
¥62.7828
|
|
|
¥52.3642
|
|
|
¥47.5617
|
|
|
¥40.6122
|
|
|
¥38.0471
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
49 A
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
7.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
167 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
|
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥55.3361
-
140库存量
-
2,000预期 2026/8/13
-
新产品
|
Mouser 零件编号
726-IGT65R055D2ATMA1
新产品
|
Infineon Technologies
|
GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
140库存量
2,000预期 2026/8/13
|
|
|
¥55.3361
|
|
|
¥36.8945
|
|
|
¥28.9506
|
|
|
¥27.0522
|
|
|
¥25.0634
|
|
|
¥22.3288
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
2,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
31 A
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
4.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
106 W
|
Enhancement
|
CoolGaN
|
|
