Infineon Technologies 600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET

英飞凌600V CoolMOS™ PFD7 SJ功率MOSFET是高压功率MOSFET的革命性技术,按照超级结(SJ)原理进行设计,由英飞凌首创。CoolMOS™ PFD7是一个经过优化的平台,专为消费市场中的目标成本敏感型应用量身定制,例如充电器、适配器、电机驱动器、照明等。该系列具有快速开关超级结MOSFET的所有优势,并具有出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现超薄设计。

特性

  • 极低的FOM RDS(on) 、Qg 和RDS(on) 、Eoss,损耗极低
  • 低开关损耗Eoss,出色的散热性能
  • 快速体二极管
  • 各种RDS(on) 和封装型号
  • 可实现大功率密度设计和小外形尺寸
  • 在更高的开关频率下实现效率提升
  • 出色的换向耐受性
  • 轻松选择正确的零件以及优化设计

应用

  • 建议用于高密度充电器、适配器、照明、电机驱动应用等的ZVS拓扑结构。
发布日期: 2020-01-21 | 更新日期: 2024-11-19