Infineon Technologies CoolSiC™ 650V第6代肖特基二极管
Infineon CoolSiC™ 650V第6代肖特基二极管采用专有的扩散焊接工艺、更紧凑的设计、薄晶圆技术以及新型肖特基金属系统。得益于较低的品质因数 (Qc x VF),可在所有负载条件下实现更高效率。CoolSiC™第6代补充了600V和650V CoolMOS™ 7系列,可满足该电压范围中最严格的应用要求。
特性
- 出色的正向电压
- 优异的品质因数 (Qc x VF)
- 高dv/dt稳健性
- 更高的系统效率
- 由于降低了冷却要求,因此节省了系统成本并减小了尺寸
- 实现更高频率和功率密度
评估板
一套用于1600W服务器电源 (PSU) 的解决方案,达到了80Plus® Titanium®标准。
发布日期: 2017-08-30
| 更新日期: 2024-08-08