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Infineon Technologies CoolSiC™肖特基二极管

英飞凌的CoolSiC™肖特基二极管具有相对较高的导通电阻和漏电流。在SiC材料中，肖特基二极管可实现更高击穿电压。英飞凌的SiC肖特基产品组合包括600V和650V至1200V肖特基二极管。快速硅基开关与CoolSiC™肖特基二极管的组合通常被称为“混合”解决方案。近年来，英飞凌生产了数百万混合模块，并将其安装在太阳能和UPS等应用的各种客户产品中。

特性

  • 无反向恢复电荷
  • 纯电容开关
  • 高工作温度（Tj，最高175°C）
  • 关断损耗低
  • CoolMOS™或IGBT导通损耗低
  • 与硅二极管相比系统效率更高
  • 开关损耗不受负载电流、开关速度和温度影响
  • 较低的冷却要求
  • 实现更高频率/更高功率密度
  • 工作温度更低，因此系统可靠性更高
  • EMI降低

应用

  • 服务器
  • 电信
  • 太阳能
  • UPS
  • 能量存储、充电器
  • PC电源
  • 电机驱动器
  • 照明

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发布日期: 2019-06-10 | 更新日期: 2024-01-10