Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块

Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块采用EconoDUAL™ 3、双TRENCHSTOP ™ IGBT7模块、NTC和PressFIT接触技术。该IGBT模块具有高功率密度、改进的端子以及集成式NTC温度传感器。FF900R12ME7_B11模块设有简单可靠的组件,可避免与IGBT模块并联。该IGBT模块的存放温度范围内为-40°C至125°C。FF900R12ME7_B11模块包括经过优化的爬电距离(用于1500V PV应用)以及PressFIT控制引脚和螺纹式电源端子。该IGBT模块非常适合用于电机控制设备、太阳能系统解决方案、伺服驱动器和UPS系统。

特性

  • 电气特性:
    • 集成式温度传感器
    • Trenchstop™ IGBT 7
    • VCEsat,具有正向温度系数
  • 机械特性:
    • 高功率密度
    • 隔离式基板
    • PressFIT触点技术
    • 标准封装
  • 相同框架尺寸逆变器输出电流更高
  • 通过简化逆变器系统降低系统成本
  • 简单可靠的组装
  • 内部连接可靠性高

应用

  • 大功率转换器
  • 商用农业车辆
  • 电机驱动器
  • 伺服驱动器
  • 不间断电源系统

规范

  • 1200V集电极-发射极电压 
  • 连续直流集电极电流:900A
  • 1800A重复峰值集电极电流
  • 储存温度范围:-40°C至125°C

FF900R12ME7_B11电路图

位置电路 - Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块
发布日期: 2019-12-01 | 更新日期: 2024-01-30