Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块
Infineon Technologies FF900R12ME7_B11双IGBT模块采用EconoDUAL™ 3、双TRENCHSTOP ™ IGBT7模块、NTC和PressFIT接触技术。该IGBT模块具有高功率密度、改进的端子以及集成式NTC温度传感器。FF900R12ME7_B11模块设有简单可靠的组件,可避免与IGBT模块并联。该IGBT模块的存放温度范围内为-40°C至125°C。FF900R12ME7_B11模块包括经过优化的爬电距离(用于1500V PV应用)以及PressFIT控制引脚和螺纹式电源端子。该IGBT模块非常适合用于电机控制设备、太阳能系统解决方案、伺服驱动器和UPS系统。特性
- 电气特性:
- 集成式温度传感器
- Trenchstop™ IGBT 7
- VCEsat,具有正向温度系数
- 机械特性:
- 高功率密度
- 隔离式基板
- PressFIT触点技术
- 标准封装
- 相同框架尺寸逆变器输出电流更高
- 通过简化逆变器系统降低系统成本
- 简单可靠的组装
- 内部连接可靠性高
应用
- 大功率转换器
- 商用农业车辆
- 电机驱动器
- 伺服驱动器
- 不间断电源系统
规范
- 1200V集电极-发射极电压
- 连续直流集电极电流:900A
- 1800A重复峰值集电极电流
- 储存温度范围:-40°C至125°C
FF900R12ME7_B11电路图
发布日期: 2019-12-01
| 更新日期: 2024-01-30
