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Infineon Technologies 1200V沟槽式TRENCHSTOP IGBT7 H7分立晶体管

英飞凌科技的1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7分立 晶体管是第7 代1200V TRENCHSTOP™ IGBT，采用微沟槽技术设计。这些分立式IGBT具有高度的可控性、低导通损耗、低开关损耗、改进的EMI性能以及在恶劣环境下的湿度 耐受性。IGBT7 H7分立式晶体管支持选择低栅极电阻器（低至5Ω），同时保持出色的开关特性。这些晶体管用于快速EV充电、工业加热和焊接以及不间断电源（UPS）应用。

特性

  • 通过TRENCHSTOP™技术实现出色的VCEat性能
  • 快速开关性能，低辐射EMI
  • 低导通损耗
  • 低EMI辐射
  • 高功率密度，额定电流高达140A
  • 低开关损耗
  • 恶劣环境下的耐湿性

应用

  • 电动汽车快速充电
  • 工业加热和焊接
  • 不间断电源 (UPS)
  • 光伏能源系统

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采用先进技术，可满足高效能源应用的需求。

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物料编号 数据表 描述
IKW40N120CH7XKSA1 IKW40N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
IKQ75N120CH7XKSA1 IKQ75N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IKW75N120CH7XKSA1 IKW75N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
IKY50N120CH7XKSA1 IKY50N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
IKQ100N120CH7XKSA1 IKQ100N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IKY100N120CH7XKSA1 IKY100N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
IKQ140N120CH7XKSA1 IKQ140N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
IKQ50N120CH7XKSA1 IKQ50N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package
IKW50N120CH7XKSA1 IKW50N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
IKY75N120CH7XKSA1 IKY75N120CH7XKSA1 数据表 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
发布日期: 2023-01-15 | 更新日期: 2025-11-24