Infineon Technologies OptiMOS™ 5功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。
无人机/多翼机解决方案
Infineon Technologies Infineon 无人机/遥控直升机解决方案
一套包含各种元器件的高品质产品组合。
25V和30V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5 25V和30V功率MOSFET通过在待机和全功率运行时均实现高功率密度和能效，提供高标准解决方案。这些MOSFET采用硅技术，经优化可满足并超过能效和功率密度要求。
这些MOSFET基于DC/DC应用中更严格的下一代电压调节标准。OptiMOS™ 5系列产品广泛应用于计算机行业的电压调节，包括服务器、数据通信和客户端应用，同时专注于Intel的VR和IMVP平台。
特性
- 出色的导通电阻
- 符合标准的开关性能（低品质因数Ron x Qg和Ron x Qgd）
- 符合RoHS标准且无卤素
- 经过优化的EMI表现（ 集成的阻尼网络）
- 高效率
- 采用S3O8或Power Block模块封装的高功率密度
- 降低了总体系统成本
- 在高开关频率下运行
应用
- 台式机和服务器r
- 单相和多相PoL
- 笔记本电脑中的CPU/GPU电压调节
- 高功率密度电压调节器
- O形环
- 电子保险丝
系统效率
40V和60V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5 80V和100V功率MOSFET专门设计用于电信和服务器电源的同步整流，另外亦可用于太阳能、低压驱动器和适配器等其他工业应用。
OptiMOS™ 5 80V和100V MOSFET采用七种不同的包装，提供低RDS(on)。这款出色FOM最重要的贡献之一是在Super SO-8封装中低至2.7mΩ的导通电阻，提供超高水平的功率密度和效率。
特性
- 针对同步整流进行了优化
- 适用于高开关频率
- 输出电容增幅高达44%
- 与上一代相比，RDS(on) 降幅高达43%
- 超高系统效率
- 减少了开关和传导损耗
- 需要的并联更少
- 功率密度增加
- 5V低过冲电压
应用
- 电信
- 服务器
- 太阳能
- 低压驱动器
- 轻型电动汽车
- 适配器
RDS(on) 比较
80V和100V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5 150V功率MOSFET适用于低电压驱动器，如叉车、电动滑板车、电信和太阳能应用。150V MOSFET可在不影响FOMgd的情况下将RDS(on)和Qrr最多降低25%。这减少了设计工作量并优化了系统效率。超低反向恢复电荷（SuperSO8 = 26nC中的最低Qrr）增加了换向难度。
OptiMOS 5 150V技术支持用更小的优异SuperSO8 (PQFN 5x6) 封装器件来替换TO-220封装器件。由于减小了封装电感，这种替换可以提供更高的功率密度和更低的过冲电压 (VDS)。
特性
- 在不影响FOMgd和FOMOSS的情况下降低RDS(on)
- 减少输出电荷
- 超低反向恢复电荷
- 增加换向难度
- 可能更高的开关频率
应用
- 低压驱动器
- 电信
- 太阳能
性能比较
150V功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5 150V功率MOSFET适用于低电压驱动器，如叉车、电动滑板车、电信和太阳能应用。150V MOSFET可在不影响FOMgd的情况下将RDS(on)和Qrr最多降低25%。这减少了设计工作量并优化了系统效率。超低反向恢复电荷（SuperSO8 = 26nC中的最低Qrr）增加了换向难度。
OptiMOS 5 150V技术支持用更小的优异SuperSO8 (PQFN 5x6) 封装器件来替换TO-220封装器件。由于减小了封装电感，这种替换可以提供更高的功率密度和更低的过冲电压 (VDS)。
特性
-
在不影响FOMgd和FOMOSS的情况下降低RDS(on)
-
减少输出电荷
- 超低反向恢复电荷
- 增加换向难度
- 可能更高的开关频率
应用
- 低压驱动器
- 电信
- 太阳能
性能比较
视频
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