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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET具备业界领先的低RDS(on) 、改进的开关性能和出色的EMI表现，有助于实现卓越的效率、功率密度和可靠性。相较于前代OptiMOS 5，OptiMOS 6技术实现了显著提升，包括RDS(on) 降低高达41%、FOMg 降低20%，以及FOMgd 降低17%。此外，这些MOSFET具有高雪崩耐受性和+175°C最高结温，可确保在严苛环境下稳健、稳定地运行。英飞凌OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET提供多样化封装选择，旨在满足高低开关频率应用的严苛要求，提升系统可靠性并延长使用寿命。

特性

  • 低导通和开关损耗
  • 运行稳定，EMI得到改善
  • 并联时实现更好的均流
  • 增强稳健性
  • 提高了系统可靠性
  • 超低漏源导通电阻[RDS(on)] - IPF036N15NM6、IPB038N15NM6、IPF048N15NM6、IPP038N15NM6、IPT034N15NM6和IPTC034N15NM6
  • 品质因数（FOMg）相比OptiMOS 5降低20% - IPB051N15NM6、IPB085N15NM6、IPB057N15NM6、IPP057N15NM6、IPT034N15NM6、IPT047N15NM6、IPTC034N15NM6和ISC165N15NM6
  • 大额定电流 - IPT034N15NM6、IPT047N15NM6和IPTC034N15NM6
  • 顶部冷却 - IPTC034N15NM6
  • 150V条件下具备低反向恢复电荷（QRR）
  • 二极管软度高于OptiMOS 5
  • 高雪崩耐受性
  • 严格的栅极阈值电压[VGS(the)]范围：±500mV
  • 封装选项：D2PAK 3引脚、D2PAK 7引脚、TO-220、TOLL、TOLT（用于顶部散热）和SuperSO8
  • 最高结温：+175 °C
  • 潮湿敏感度等级 (MSL) 1级
  • 无卤，符合RoHS标准

应用

  • 轻型电动车 (LEV)
  • 电机控制
  • 电动工具
  • 储能系统
  • 电源转换
  • 光伏应用
  • 工业电源
  • 服务器电源单元 (PSU)
  • 电信基础设施

规范

  • 漏极连续电流范围：50A至194A
  • 漏极-源极击穿电压：150V
  • 栅极-源极阈值电压：4 V
  • 耗散功率范围：95W至294W
  • 典型接通延迟时间范围：7ns至18ns
  • 典型关闭延迟时间范围：9ns至27ns
  • 上升时间范围：2 ns至17 ns
  • 下降时间范围：8 ns至15 ns
  • 最小正向跨导范围：19S至70S
  • 栅极电荷范围：14.8nC至69nC
  • 漏源导通电阻范围：3.2mΩ至15.6mΩ
  • 工作温度范围：-55 °C至+175 °C

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发布日期: 2025-03-24 | 更新日期: 2025-07-17