Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 L5(低饱和5)IGBT
Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5(低饱和5)IGBT处于开关频率范围的另一端,优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对Infineon L5进行了专门优化。L5还具有以下特性:针对30A IGBT的1.05V低VCE(sat)、无功功率模式下cosφ<1时开关损耗最低以及电气参数的热稳定性高。采用低速开关器件的1.05V V
CE(sat) TRENCHSTOP™ 5 L5可实现新的效率水平。
特性
- 采用低VCE(sat) L5技术的优势如下:
- 极低集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)
- 兼具出色的导通和开关损耗
- 650V击穿电压
- 低栅极电荷
- 最高结温:175°C
- 按照JEDEC标准符合目标应用要求
- 无铅
- 符合RoHS指令
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与其他领先 IGBT 相比,开关损耗降低 60% 以上
发布日期: 2017-08-24
| 更新日期: 2022-03-21