Infineon Technologies IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET
International Rectifier IRF540N/Z 高级 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进工艺，实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优点再加上快速的开关速度、坚固的器件设计及 HEXFET 功率 MOSFET 著名的 175°C 工作结温，为设计人员提供了极为高效和可靠的器件，适用于广泛的应用。
特性
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Lead-free
应用
- AC-DC
- Appliances
- Audio
- Industrial
- Lighting
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| 物料编号 | 数据表 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|
| IRF540NSTRLPBF |  |
33 A | 44 mOhms | 3.8 W |
| IRF540ZPBF | |
36 A | 26.5 mOhms | 92 W |
| IRL540NSTRLPBF | |
36 A | 63 mOhms | 3.8 W |
| IPI086N10N3 G | |
80 A | 8.2 mOhms | 125 W |
发布日期: 2014-08-07
| 更新日期: 2022-03-11