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IXYS IX4超结功率MOSFET

IXYS IX4超结功率MOSFET是耐雪崩、N沟道增强模式MOSFET，具有200V漏极-源极击穿电压。IXYS IX4超结功率MOSFET采用TO-220 (IXTP) 或TO-263 (IXTA) 封装，具有86A或94A连续漏极电流。

特性

  • 1-channel
  • N沟道增强模式
  • 耐雪崩
  • 漏极-源极击穿电压：200V
  • 连续漏极电流
    • 86A（IXTA86N20X4和IXTP86N20X4）
    • 94A（IXTA94N20X4和IXTP94N20X4）
  • 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))
    • 10.6mΩ（IXTA94N20X4和IXTP94N20X4）
    • 13mΩ（IXTA86N20X4和IXTP86N20X4）
  • 封装
    • TO-220（IXTP86N20X4、IXTP94N20X4和747-IXTP120N20X4）
    • TO-263（IXTA86N20X4和IXTA94N20X4）
    • TO-247 (747-IXTH120N20X4)

示意图

原理图 - IXYS IX4超结功率MOSFET

数据手册

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发布日期: 2022-01-12 | 更新日期: 2022-03-16