Microchip Technology 23AA02M/23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM
Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通过串行外设接口 (SPI) 兼容总线访问的随机存取存储器器件。该SRAM具有2048K位低功耗和单电压读/写操作功能。该器件支持双路串行接口 (SDI) 和四路串行接口 (SQI)，可实现更快的数据传输速率和143MHz高速时钟频率。该SRAM提供内置纠错码 (ECC) 逻辑，可确保高可靠性。Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位组织，具有字节、页面和顺序读写模式。该SRAM具有无限读取和写入周期，并支持外部电池备份。这些器件不含卤素，符合RoHS指令。
特性
- 2048K位低功耗SRAM
- 单电压读写操作：
- 1.7V至3.6V (23AA02M)
- 2.2V至3.6V (23LCV02M)
- 串行接口架构
- 兼容SPI模式0和3
- 支持SDI和SQI
- 高速时钟频率为143 MHz
- 内置纠错码 (ECC) 逻辑，可靠性高
- 低功耗
- SPI/SDI/SQI的最大有源读取电流为3mA（40MHz、3.6V时）
- 待机电流：70µA（+25°C时典型值）
- 无限读取和写入周期
- 外部电池备份支持
- 零写入时间
- 结构
- 256 x 8位
- 用户选择的32字节或256字节页面大小
- 读取和写入的字节、页面和顺序模式
- 封装选项
- 8引脚PDIP、8引脚SOIC和8引脚TSSOP
- 14引脚PDIP、14引脚SOIC和14引脚TSSOP
- 无卤，符合RoHS指令
规范
- 绝对额定电压：3.9Vcc
- 有源读取电流（最大值）：3 mA
- 待机电流：70μA（典型值）
- 256K x 8内存组织
- 关于所有输入和输出：-0.3V至VCC+0.3V
- 最大时钟频率：143 MHz
- 输入电容：7 pF
- 2 kV ESD保护
- 环境温度范围：-40 °C至+85 °C
- 存放温度范围：-65°C +150°C
相关SRAM
Microchip Technology 23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAMs
随机存取存储器器件，可通过串行外设接口 (SPI) 访问。
发布日期: 2024-04-01
| 更新日期: 2024-05-17