Microchip Technology 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管
Microsemi/Microchip (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能，优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷，可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关，可确保稳定的高温性能。
特性
- 零反向恢复电荷提高了系统效率
- 低正向电压
- 低漏电流
- 热导率比纯硅器件高2.5倍
- 高雪崩 (UIS) 额定值
- 宽工作结温范围（-55°C至+175°C）和储存温度范围
- 最大限度地降低了对散热片的要求
- 高效率
- 高功率密度
- 采用紧凑的TO-220和TO-247封装
- 减少了电路尺寸并降低了系统成本
- 符合RoHS指令
应用
- 商业航空：
- 驱动、空调、配电
- 工业：
- 电机驱动器、焊接、不间断电源、感应加热、开关模式电源
- 运输/汽车：
- 电动汽车电池充电器、车载充电器、混合动力汽车/电动汽车动力传动系统、直流-直流转换器、能量回收
- 智能能源：
- 光伏逆变器、风力涡轮机
- 医疗：
- MRI电源、X射线电源
- 国防和石油钻探：
- 电机驱动器、辅助电源
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发布日期: 2017-10-23
| 更新日期: 2023-06-19