Broadcom AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管

Broadcom AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管是一款针对单光子超灵敏精密测量进行了优化的单通道SiPM。AFBR-S4N44P014M采用NUV-MT技术,与NUV-HD技术相比,该技术结合了改进的光探测效率 (PDE) 和降低的暗计数率和串扰。可以平铺多个AFBRS4N44P014M SiPM以覆盖较大面积。

环氧树脂透明模塑化合物让封装实现良好的机械稳定性和坚固性。它在紫外波长下高度透明,从而在可见光光谱中对蓝色和近紫外区域具有高灵敏度的广泛响应。

Broadcom AFBR-S4N44P014M可提供40µm SPAD间距。该器件非常适合检测低电平脉冲光源,特别是切伦科夫 (Cherenkov) 或来自最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF或LaBr3)的闪烁光。

特性

  • 高PDE(420nm时为63%)
  • 4面可平铺,具有高填充系数
  • 40μm电池间距
  • 高透明度环氧树脂保护层
  • 工作温度范围:-20°C至+60°C
  • 出色的SPTR和CRT
  • 出色的设备间击穿电压和增益均匀性
  • 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准

应用

  • X射线和伽马射线检测
  • 核医学
  • 正电子发射断层扫描
  • 安全与安保
  • 物理实验
  • 切伦科夫检测

框图

Broadcom AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管

回流焊示意图

性能图表 - Broadcom AFBR-S4N44P014M NUV-MT硅光电倍增管
发布日期: 2023-05-09 | 更新日期: 2023-05-12