Broadcom AFBR-S4N44P044M 2×2 NUV-MT光电倍增阵列管
Broadcom AFBR-S4N44P044M 2×2 NUV-MT硅光电倍增阵列是为单光子的超灵敏精密测量而设计的理想产品。SiPM采用NUV-MT，与NUV-HD技术相比，，该技术结合了改进的光检测效率（PDE），并降低了暗计数率和串扰。AFBR-S4N44P0044M在两个方向上的间距均为4mm。平铺多个AFBR-S4N44P0044M阵列可以覆盖8.3mm间距的更大区域，而不会有任何边缘损耗。
Broadcom AFBR-S4N44P0044M阵列封装了环氧透明模塑化合物，具有优异的机械稳定性和坚固性。环氧树脂在紫外线波长下高度透明，在可见光频谱中产生广泛响应，对蓝色和近紫外线区域具有高灵敏度。
该器件非常适合检测低电平脉冲光源，特别是切伦科夫 (Cherenkov) 或来自最常见的有机（塑料）和无机闪烁体材料（例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF或LaBr3）的闪烁光。
特性
- 2 × 2 SiPM阵列
- 8.26mm × 8.26mm的阵列
- 高PDE（420nm时63%）
- 出色的SPTR和CRT
- 出色的击穿电压均匀性
- 增益均匀性极佳
- 4面可平铺，填充系数高
- 40μm电池间距
- 高透明度环氧树脂保护层
- 工作温度范围为-20°C至+50°C
- 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准
应用
- X射线和伽马射线检测
- 核医学
- 正电子发射断层扫描
- 安全与安保
- 物理实验
- 切伦科夫检测
框图
回流焊示意图
发布日期: 2023-05-10
| 更新日期: 2023-05-12