Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列

Broadcom/Avago AFBR-S4N44P164M 4 × 4 NUV-MT硅光电倍增器(SiPM)阵列采用具有出色机械稳定性和稳健性的封装。透明环氧模塑化合物具有这些特性,可实现低至紫外线波长的高透明度。这带来了可见光谱的广泛响应,对光谱的蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。

AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT SiPM基于NUV-MT技术。与NUV-HD技术相比,NUV-MT技术结合了改进的光电探测效率(PDE)、降低的暗计数率和减少的串扰。SiPM两个方向的间距均为4mm。拼接多个AFBR-S4N44P164M阵列,以16毫米的间距覆盖更大的区域,几乎没有任何边缘损失。

Broadcom/Avago AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列非常适合用于检测低电平脉冲光源。检测包括来自最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr3)的切伦科夫光或闪烁光。此外,AFBR-S4N44P164M不含铅,符合RoHS指令。

特性

  • 4×4 SiPM阵列
  • 阵列尺寸:16.00mm × 16.00mm
  • 高PDE(420nm时63%)
  • 出色的SPTR和CRT
  • 出色的击穿电压均匀性
  • 增益均匀性极佳
  • 四面可平铺,具有高填充系数
  • 单元间距:40μm
  • 高度透明的环氧树脂保护层
  • 工作温度范围:-20°C至+50°C
  • 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准

应用

  • X射线和伽马射线检测
  • 核医学
  • 正电子发射断层扫描
  • 安全与安保
  • 物理实验
  • 切伦科夫检测

回流焊示意图

性能图表 - Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列

框图

框图 - Broadcom AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列
发布日期: 2022-07-12 | 更新日期: 2023-03-24