AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT SiPM基于NUV-MT技术。与NUV-HD技术相比,NUV-MT技术结合了改进的光电探测效率(PDE)、降低的暗计数率和减少的串扰。SiPM两个方向的间距均为4mm。拼接多个AFBR-S4N44P164M阵列,以16毫米的间距覆盖更大的区域,几乎没有任何边缘损失。
Broadcom/Avago AFBR-S4N44P164M 4×4 NUV-MT光电倍增管阵列非常适合用于检测低电平脉冲光源。检测包括来自最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr3)的切伦科夫光或闪烁光。此外,AFBR-S4N44P164M不含铅,符合RoHS指令。
特性
- 4×4 SiPM阵列
- 阵列尺寸:16.00mm × 16.00mm
- 高PDE(420nm时63%)
- 出色的SPTR和CRT
- 出色的击穿电压均匀性
- 增益均匀性极佳
- 四面可平铺,具有高填充系数
- 单元间距:40μm
- 高度透明的环氧树脂保护层
- 工作温度范围:-20°C至+50°C
- 符合RoHS指令以及CFM和REACH标准
应用
- X射线和伽马射线检测
- 核医学
- 正电子发射断层扫描
- 安全与安保
- 物理实验
- 切伦科夫检测
回流焊示意图
框图
资源
发布日期: 2022-07-12
| 更新日期: 2023-03-24

