Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN52D0UV N沟道增强模式MOSFET是一款双路N沟道MOSFET，设计用于最大限度地降低R_DS(ON)，并保持出色的开关性能。该MOSFET具有低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流和超小型表面贴装封装。DMN52D0UV MOSFET具有ESD保护功能，无铅，符合RoHS指令，不含卤素和锑。该MOSFET具有极低栅极阈值电压，可在-55°C至150°C温度范围内工作。典型应用包括电池管理系统、电源管理功能和负载开关。