Diodes Incorporated DMT2004UF N通道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET是一款24V、N通道增强模式MOSFET，具有0.6mm高度和4mm²占位面积。DMT2004UF MOSFET符合AEC-Q101高可靠性标准，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。DMT2004UF MOSFET具有4.8mΩ至12.5mΩ导通电阻、0.55V至1.45V栅极阈值电压、11.2A至14.1A连续漏电流以及12.5W功耗。该器件具有如下开关性能：38.6ns关断下降时间、9.6ns导通上升时间、30.8ns（典型值）关断延迟时间、3.9ns（典型值）导通延迟时间以及11.2ns恢复时间。24V DMT2004UF N通道增强模式MOSFET采用的各项设计使得该器件非常适合用于高效电源管理应用。