Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管（FET）专为低压开关应用而设计。这些2N7002器件的最大漏源电压 (VDS) 为60V，漏极连续电流 (ID) 范围为105mA至210mA，导通电阻 [RDS(on)] 范围为7.5Ω至13.5Ω。这些FET提供快速开关性能和低栅极电荷，适用于信号处理、负载开关和电平转换应用。这款Diodes Inc.晶体管采用紧凑型SOT-23封装，可确保高密度电路设计的空间效率。此外，2N7002 FET不含铅，符合RoHS标准，专为自动化表面贴装组装而设计。
特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 开关速度快
- 小型表面贴装SOT23封装
- 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级（MSL）为1
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 绿色器件，不含卤素和锑
应用
- 电机控制器
- 电源管理功能
规范
- 最大漏源/漏栅电压：60V
- 最大栅源电压
- ±20 V（连续）
- ±40 V（脉冲）
- 最大连续稳定状态漏极电流范围：105mA至210mA
- 最大连续体二极管正向电流
- 0.2 A（连续）
- 0.5 A（脉冲）
- 最大脉冲漏极电流：800mA
- 总耗散功率：370mW至540mW
- 关态特性
- 典型漏源击穿电压：70V
- 零栅极电压漏极电流范围：1.0µA（+25°C）至500µA（+125°C）
- 最大栅体泄漏电流：±10nA
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：1.0V至2.5V
- 最大静态漏源导通电阻范围：7.5Ω至13.5Ω
- 典型导通状态漏极电流：1.0A
- 最小正向跨导：80mS
- 最大二极管正向电压：1.5 V
- 动态特性
- 输入电容：50pF（最大值）/22pF（典型值）
- 输出电容：25pF（最大值）/11pF（典型值）
- 反向传输电容：5.0pF（最大值）/2.0pF（典型值）
- 典型栅极电阻：120Ω
- 典型总栅极电荷：223pC
- 典型栅源电荷：82pC
- 典型栅漏电荷：178pC
- 典型接通延迟时间：2.8ns
- 典型接通上升时间：3.0ns
- 典型关闭延迟时间：7.6ns
- 典型关闭下降时间：5.6ns
- 最大热阻
- 结至环境热阻范围：241°C/W至348°C/W
- 结至外壳：91°C/W
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- UL 94V-0阻燃等级模制塑料，采用“绿色”模压化合物
- 哑光镀锡导线，可按MILSTD-202、208方法焊接
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发布日期: 2025-10-23
| 更新日期: 2025-10-31