Diodes Incorporated DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器

Diodes Inc. DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器是一款高频栅极驱动器,具有内部自举二极管,能够驱动采用半桥配置的N沟道MOSFET。该浮动高侧驱动器采用自举配置,额定电压高达100V。DGD0579U逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可与MCU轻松连接。用于高侧和低侧的UVLO将在缺电的情况下保护MOSFET。交叉传导预防逻辑还可以防止HO和LO同时导通,从而保护MOSFET。快速且匹配良好的传播延迟支持更高开关频率,通过采用较小的相关元件,实现了更小、更紧凑的电源开关设计。该器件设有内部自举二极管,可最大限度地节约空间,另外Diodes Inc. DGD0579U采用W-DFN3030-10封装,可在-40°C至+125°C扩展温度范围内工作。

特性

  • 100V浮式高侧驱动器
  • 驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET
  • 输出拉/灌电流能力:5A/2.5A
  • 内置自举二极管
  • 欠压闭锁,用于高侧和低侧驱动器
  • 延迟匹配:10ns(最大值)
  • 传播延迟:60ns(典型值)
  • 逻辑输入(HIN、LIN和EN)3.3V能力
  • 超低待机电流:<1µA
  • 扩展温度范围:-40°C至+125°C
  • 完全无铅,完全符合RoHS指令
  • 无卤素和不含锑的“绿色”器件

应用

  • DC-DC转换器
  • 电机控制
  • 电池供电手持工具
  • D类功率放大器

功能框图

框图 - Diodes Incorporated DGD0579U高侧和低侧栅极驱动器
发布日期: 2022-01-05 | 更新日期: 2022-03-11