Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET的设计旨在将导通电阻 (RDS(ON)) 降低到最小，非常适合高效电源管理应用。该MOSFET具有低栅极电荷和低栅极到漏极电荷，能够实现快速切换性能。DMN1057UCA3 MOSFET采用紧凑型超低型设计，高度仅为0.26mm，非常适合空间受限的应用。该MOSFET的耗散功率高达1.81W，热阻高达198.6°C/W。DMN1057UCA3 N沟道MOSFET用于电池管理、负载开关和电池保护应用。
特性
- n沟道MOSFET
- 低导通电阻，实现高效开关
- 漏极-源极电压 (VDSS)：12V
- 栅极-源极电压 (VGSS)：8V
- 耗散功率 (PD) 高达1.81W
- 热阻（接合点到环境）最高可达198.6°C/W (@TA=25°C)
- 紧凑型设计，适合空间受限的设计
- 快速开关性能
- 节能运行
- 薄型，高度仅为0.26mm
- 防静电保护栅极
- X4-DSN0607-3封装
- 完全无铅，符合RoHS标准
应用
- 电池管理
- 高效电源管理
- 负载开关
- 电池保护
封装尺寸
发布日期: 2025-08-22
| 更新日期: 2025-10-30