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Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET专为最小化导通电阻（RDS(ON)）而设计。该MOSFET具有卓越的开关性能，非常适用于高效电源管理应用。Diodes Inc. DMN2992UFA MOSFET采用X2-DFN0806-3薄型封装，高度仅为0.04mm。

特性

  • 扁平封装外形，0.4mm最大包装高度
  • 封装占位面积为0.48mm2，比SOT23小16倍
  • 低导通电阻
  • 栅极阈值电压非常低，最大为1.0V
  • ESD保护栅极
  • 完全无铅，符合 RoHS 标准
  • 绿色器件，不含卤素和锑
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用

应用

  • 通用接口开关
  • 电源管理功能
  • 模拟开关

规范

  • X2-DFN0806-3 封装
  • 注塑塑料、绿色成型化合物封装材料
  • UL可燃性等级：94V-0
  • 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级为1
  • 抛光：铜引线框架端子上的NiPdAu
  • 可焊接，符合 MIL-STD-202 标准之方法 208 的要求
  • 重量：0.001克（大约）

应用电路

应用电路图 - Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET
发布日期: 2025-10-16 | 更新日期: 2025-11-04