Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET
Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET是一款30V同步N沟道增强模式 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度。这款MOSFET符合RoHS指令，具有低输入电容和提升的可靠性 ，生产时通过了 100%无钳位电感开关(UIS) 耐用性测试。DMN3012LEG MOSFET采用横向扩散MOS (LDMOS)设计，可降低功耗，并针对高功率密度、高效率和高频能力进行了优化。该MOSFET非常适合用于直流－直流转换器和高效率电源管理应用。
特性
- 生产中100%经过无钳位电感开关 (UIS) 测试
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 开关速度快
- 无铅涂层
- 峰值功效：95%
- 提高了轻负载时的性能
- 降低了系统温度
- 可靠性更优
- 符合RoHS指令
规范
- 漏极-源极电阻：12mΩ
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 功耗：2.2W
应用
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
- 优化用于5V栅极驱动应用
电路图
性能标杆图
发布日期: 2020-06-08
| 更新日期: 2024-08-01