Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 N通道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT3006LFDF-7 MOSFET是一款30V、N通道增强模式MOSFET，具有0.6mm高度和4mm²占位面积。DMT3006LFDF-7 MOSFET符合AEC-Q101高可靠性标准，可最大限度地降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。该MOSFET具有5.8mΩ至15mΩ导通电阻、1V至3V栅极阈值电压、12.5A至14.1A连续漏电流以及2.1W功耗。该器件具有如下开关性能：4.6ns关断下降时间、5.5ns导通上升时间、13.5ns（典型值）关断延迟时间、3.5ns（典型值）导通延迟时间以及19.3ns反向恢复时间。30V DMT3006LFDF-7 N通道增强模式MOSFET采用的各项设计使得该器件非常适合用于高效电源管理应用。