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Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。这些器件具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。Diodes Inc. DMT31M8LFVWQ MOSFET采用PowerDI®3333-8封装，带有可润湿侧，以改善光学检测。

特性

  • 低RDS(ON)可确保导通损耗降到最低
  • 小尺寸热效率高的封装可实现更高的密度终端产品
  • 仅占用SO-8所占电路板面积的33%，可实现更小巧的最终产品
  • 带可湿性侧翼，可提高光学检测能力
  • 无铅表面处理；符合RoHS标准
  • 绿色器件，不含卤素和锑
  • 适用于需要特定变更控制的汽车应用

应用

  • 背光照明
  • 电源管理功能
  • 直流-直流转换器

规范

  • PowerDI®3333-8封装
  • 注塑塑料，“绿色”成型化合物封装材料
  • UL可燃性等级：94V-0
  • 根据J-STD-020标准，潮湿敏感度等级为1
  • 表面处理 – 铜引线框架哑光锡退火镀层
  • 可焊接，符合 MIL-STD-202 标准之方法 208 的要求
  • 重量：约0.003克

应用电路

应用电路图 - Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET
发布日期: 2025-10-21 | 更新日期: 2025-11-09