Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ双N沟道增强模式MOSFET
Diodes Inc. DMT47M2LDVQ双N沟道增强模式MOSFET是一款40V MOSFET，具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通状态损耗。该器件具有低输入电容和快速开关速度。Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。产品符合AEC-Q101标准，并由PPAP提供支持。
特性
- 100%无钳位电感开关和生产测试，确保更加可靠而稳健的终端应用
- 高转换效率
- 低RDS(ON) - 最大限度地降低导通损耗
- 低输入电容
- 开关速度快
规范
- PowerDI® 3333-8外壳
- 模制塑料、“绿色”模压化合物（UL可燃性分类等级94V-0）外壳材料
- 湿度敏感度：符合J-STD-020标准第1级
- 涂层 - 铜引线框上进行退火处理的锡雾（可焊接，符合MIL-STD-202，方法208的要求）端子
- 重量：0.072克（近似值）
应用
- 电机控制
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器
典型应用原理图
等效电路
发布日期: 2020-08-26
| 更新日期: 2024-08-14