Diodes Incorporated DMTH6005 N沟道增强模式MOSFET
Diodes Inc. DMTH6005 N沟道增强模式MOSFET可最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，并保持卓越的的开关性能。DMTH6005 MOSFET在VGS = 10V时的最大导通电阻(RDS(ON))为5.5mΩ，漏源击穿电压为60V，并设有100%无钳位电感开关。这些MOSFET的额定温度为+175ºC，非常适合用于高环境温度的环境。DMTH6005LPSQ符合汽车级AEC-Q101标准并支持PPAP。DMTH6005 MOSFET的相关应用包括高频开关、同步整流和直流-直流转换器。
特性
- 额定温度为+175ºC，非常适合用于高环境温度环境
- 100%无钳位电感开关确保更加可靠而稳健的终端应用
- 低RDS(ON) – 可最大限度地降低功耗
- 低Qg – 可最大限度地降低开关损耗
- 无铅涂层，符合RoHS指令
- 不含卤素和锑。“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，可靠性高(DMTH6005LPSQ)
- 支持PPAP (DMTH6005LPSQ)
- 外壳：POWERDI® 5060-8
- 外壳材料：模制塑料、“绿色”模压化合物。UL可燃性分类等级：94V-0
- 湿度敏感度：J-STD-020标准第1级
- 端子涂层：在铜引线框上进行退火处理的锡雾。可焊接，符合MIL-STD-202标准之方法208的要求
- 重量：0.097克（近似值）
应用
- 高频开关
- 同步 整流
- 直流-直流转换器
POWERDI®5060-8外壳
发布日期: 2017-03-27
| 更新日期: 2022-03-11