Infineon Technologies 1200V PIM IGBT模块

英飞凌1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术（基于最新的微型沟槽技术）。该技术可大大降低损耗，提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着静态损耗大大降低，功率密度更高，开关更灵活。通过提高英飞凌1200V PIM IGBT模块允许的最高工作温度（高达175°C），可大幅提高功率密度。