Infineon Technologies 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立晶体管
英飞凌650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7分立式晶体管采用先进技术，可满足高能效应用的需求。英飞凌650晶体管采用尖端微沟槽设计，实现精准控制与高性能。该设计可显著降低组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电、工业UPS和焊接等不同行业的损耗、提高效率和功率密度。
特性
- VCE=650V
- IC=高达150A
- 低开关损耗
- 极低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）
- 快速软恢复反向并联二极管
- 平滑开关特性
- 湿度耐受性
- 优化用于硬开关、两级和三级拓扑
应用
- 工业UPS
- 电动车充电
- 灯串逆变器
- 焊接
概述
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发布日期: 2024-01-30
| 更新日期: 2026-03-04